Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TSM4NC60CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4NC60CI C0G

Номер детали производителя TSM4NC60CI C0G
производитель Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 4A ITO220AB
Упаковка ITO-220AB
В наличии 5102 pcs
Техническая спецификация Mult Dev EOL 3/Aug/2018
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Taiwan Semiconductor Corporation.У нас есть кусочки 5102 Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NC60CI C0G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства ITO-220AB
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 1.3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 40W (Tc)
Упаковка / TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 654 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Tc)

Рекомендуемые продукты

TSM4NC60CI C0G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для TSM4NC60CI C0G

Связанные детали для TSM4NC60CI C0G